CSD17581Q5AT

功能描述:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

制造商:texas instruments

系列:*

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),123A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):54nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3640pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):*

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:8-VSONP(5x6)

标准包装:1

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